36nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）以及新兴起的EUV光刻胶5大类，高端光刻胶指KrF、ArF和EUV光刻胶，等级越往上其极限分辨率越高，同一面积的硅晶圆布线密度越大，性能越好。
当前的半导体制程还不那么先进，主流工艺在800-1200nm之间，因此波长436nm的光刻光源就够用。
中国在70年代就开始研究光刻胶了。
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